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面向功率器件(IGBT/SiC/GaN)、集成电路与晶圆级测试,三海科技提供从静态参数、双脉冲动态特性到探针台方案的完整半导体测试能力,设备与软件均可按需求自主集成。
I-V曲线、击穿电压、阈值电压、电容等静态参数测量,适配IGBT、SiC、GaN器件研发与量产。
开关特性、反向恢复、动态导通电阻与栅极电荷测试,宽禁带器件动态表征的核心手段。
多通道精密源表参数分析,覆盖分立器件、传感器与集成电路的精密电学表征。
应对12"/8"/6"晶圆Si/GaN/SiC器件测试,可升级大功率、射频与全自动测试。
推荐设备:半导体参数分析测试系统、功率器件静态参数测试系统、双脉冲测试、静态参数测试、晶圆探针测试方案
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