针对第三代半导体（SiC/GaN）及IGBT、MOSFET功率器件的动态特性分析测试，基于双脉冲法实现开关过程的精准捕捉与评估，可满足实验室研发验证与产线抽测需求。
系统组成：高带宽示波器、高压电压源（栅极供电）、低压电压源（驱动板供电）、AFG双脉冲信号源、温控设备和夹具、上位机电脑和测试软件。
支持应对12"、8"、6"晶圆Si/GaN/SiC等各类器件的先进芯片性能测试，可配备相应仪器仪表进行I-V、C-V、光信号、RF、1/f噪声等特性分析，并可加载温控系统满足高低温环境下的晶圆器件性能测试需求。
产品咨询电话：199 1447 8851
1、功率MOS器件单管开关参数检测；
2、上下管动态参数联调；
3、上下管反向恢复测试；
4、二极管动态参数测试；
5、动态导通电阻、动态栅极电荷（QG）曲线测量；
6、短路测试、雪崩测试、开关损耗与安全工作区评估；
7、功率损耗（传导、驱动和切换）测试。
测试软件自动完成参数提取与报告输出：RON、BV、泄露、VTH、VSAT，以及高电压偏置条件下的CISS、COSS、CRSS、CIES、COES、CRES、RG等结电容参数。
适用器件：IGBT / SiC MOSFET / GaN HEMT / Si MOSFET / 二极管；
电压平台：650V、750V、1200V、1700V（可扩展）；
测试方法：双脉冲法（DPT），支持上下管桥臂联调；
温度环境：常温～高低温（配温控系统）；
交付形态：标准机柜 / 实验室台式 / 产线在线式；
注：系统软硬件配置可根据客户被测对象与测试项目定制。
