碳化硅迈入8英寸时代:英飞凌与Wolfspeed延长200mm晶圆供应协议

发布时间:2026-10-25

碳化硅迈入8英寸时代

2026年10月15日,英飞凌与Wolfspeed宣布扩大并延长碳化硅晶圆供应协议,将双方超过20年的合作从150mm规格延伸至200mm,支持英飞凌在奥地利菲拉赫与马来西亚居林基地推进200mm碳化硅制造。

一、为什么是8英寸

200mm(8英寸)晶圆面积约为150mm的1.78倍,在芯片尺寸与工艺相近的条件下可排布更多芯片、摊薄衬底成本。随着SiC在新能源汽车、光伏储能与AI数据中心电源等场景持续渗透,产业竞争的重心正加速向衬底成本与晶圆规格前移。

二、需求双轮驱动

据国信证券研报,2026年1—5月国内新能源上险乘用车主驱模块中SiC MOSFET占比达30.9%,800V车型渗透率约33%、其中SiC渗透率达77%;与此同时,AI数据中心800V直流供电与固态变压器正成为第二条需求曲线。Yole Group预计,全球碳化硅功率器件市场到2031年将达到约110亿美元。

功率器件动态参数测试系统

三、对测试的启示

器件从6英寸向8英寸切换、短路耐受与比导通电阻等指标竞争加剧,双脉冲动态参数测试、静态参数分选与高低温工况验证成为实验室与产线的标配能力。三海SH系列功率器件动态/静态参数测试系统与半导体参数分析测试系统,可提供软硬件一体的交钥匙测试支持。

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